Лаборатория алмазной электроники

Заведующий лабораторией - Тарелкин С.А.

Лаборатория алмазной электроники занимается решением широкого круга задач в области создания и исследования свойств алмазных материалов, обладающих уникальными полупроводниковыми и оптическими свойствами, а также разработкой электронных изделий на основе алмаза.

Лаборатория была создана на основе лаборатории физических свойств наноструктур в 2017 году ввиду повышенного интереса в России и мире к физической и квантовой электронике на основе алмаза.

Основные направления работ

• Разработка элементов электронной компонентной базы алмазной силовой и высокочастотной радиационно-стойкой электроники нового поколения
• Фундаментальные и прикладные исследования свойств полупроводниковых синтетических монокристаллов алмаза p- и n-типа
• Разработка материалов и изделий квантовой электроники, фотоники, оптоэлектроники
• Разработка чувствительных элементов детекторов излучений (ионизирующие излучения, УФ, ИК)
• Разработка автономных источников питания с длительным сроком службы

Методики исследований

• Измерение электросопротивления и ЭДС Холла в диапазоне от 0,1 мОм до 200 ГОм при вариации температуры от 1,8 К до 1200 К и магнитном поле до 9 Тл, в том числе с оптическим возбуждением.
• Измерение теплоемкости и теплопроводности твердых тел в диапазоне температур от 1,8 К до 400 К.
• Измерение статических электрических характеристик диодных и триодных структур. Диапазон измеряемых напряжений от 1 нВ до 400 В, токов от 1 фА до 10 А.
• Исследование механизмов релаксации и транспорта неравновесных носителей заряда методом измерения эффекта Холла при оптическом возбуждении.
• Исследование механизмов релаксации неравновесных электро-дырочных пар, определение диффузионной длины. Построение локальных карт наведенного электронным пучком тока с логарифмической контрастностью.
• Исследование подвижностей неравновесных носителей заряда времяпролетным методом ToF (Time-of-Flight).

Технологические возможности

• Формирование контактных и диэлектрических структур методом прямой и обратной фотолитографии с минимальным размером элемента до 1 мкм.
• Магнетронное напыление металлических покрытий с контролем толщины в диапазоне от 1 до 1000 нм.
• Осаждение оксидных и нитридных покрытий (в том числе high-k) толщиной до 2 мкм методом реактивного высокочастотного напыления.
• Формирование контактных площадок с помощью отжига до 800 °С металлических и интерметаллических покрытий в условиях высокого вакуума (менее 10^-6 Тор).
• Измерения электрических и опто-электрических характеристик в помехозащищенном помещении (коэффициент ослабления ЭМ излучения > 40 дБ).
• Формирование на поверхности алмаза и других полупроводниковых материалов рельефных структур сложного профиля глубиной до 20 микрометров методом селективного реактивного ионного травления с использованием широкого спектра газов (Ar, O₂, H₂, CF₄, SF₆) и теневых масок.
• Формирование многослойных тонкопленочных, в частности, пьезоэлектрических структур методом последовательной фотолитографии с точностью совмещения выше 100 нанометров.
• Работа с подложками нестандартной формы размером от 3 миллиметров.

Основные результаты

1. Разработана конструкция и освоена технология изготовления высоковольтных быстродействующих радиационно-стойких диодов Шоттки на основе синтетических монокристаллов алмаза.

Основные характеристики диодов: • обратное напряжение, Uобр • средний прямой ток, Iпр • ток утечки при Uобр = 1000 В • прямое падение напряжения при Iпр = 2 А • диапазон рабочих температур • время восстановления

> 1000 В > 2 А < 100 мкА < 4 В от -60 до 250 °С менее 10 нс

• A. Polyakov, N. Smirnov, S. Tarelkin, A. Govorkov, V. Bormashov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, S. Buga, N. Kornilov, I.-H. Lee, Electrical Properties of Diamond Platinum Vertical Schottky Barrier Diodes, Materials Today: Proceedings. 3 (2016) S159–S164. doi:10.1016/j.matpr.2016.02.027.
• S. Tarelkin, V. Bormashov, S. Buga, A. Volkov, D. Teteruk, N. Kornilov, M. Kuznetsov, S. Terentiev, A. Golovanov, V. Blank, Power diamond vertical Schottky barrier diode with 10 A forward current, Phys. Status Solidi A. 212 (2015) 2621. doi:10.1002/pssa.201532213.
• V.D. Blank, V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, S.G. Buga, M.S. Kuznetsov, D.V. Teteruk, N.V. Kornilov, S.A. Terentiev, A.P. Volkov, Power high-voltage and fast response Schottky barrier diamond diodes, Diamond and Related Materials. (2015). doi:10.1016/j.diamond.2015.01.005.
• Д.В. Тетерук, С.А. Тарелкин, В.С. Бормашов, А.П. Волков, Н.В. Корнилов, С.А. Терентьев, Легирование алмаза, выращенного методом газофазного осаждения, Известия ВУЗов. Химия и химическая технология. 57 (2014) 56–58. (выпуск журнала)

2. Разработана технология изготовления сверхтонких алмазных пластин электронного качества, включающая создание дефектного слоя под поверхностью алмазной пластины, синтез эпитаксиального слоя, травление слоя и отщепление тонкой пластины. Достигнута толщина 15 мкм при размере более 5х5 мм. На основе тонких алмазных пластин разработаны диоды Шоттки второго поколения с повышенной плотностью прямого тока.

• V.S. Bormashov, S.A. Terentiev, S.G. Buga, S.A. Tarelkin, A.P. Volkov, D.V. Teteruk, N.V. Kornilov, M.S. Kuznetsov, V.D. Blank, Thin large area vertical Schottky barrier diamond diodes with low on-resistance made by ion-beam assisted lift-off technique, Diamond & Related Materials. 75 (2017) 78–84. doi:http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2017.02.006.

3. Разработаны автономные радиационно-стимулированные бета-вольтаические элементы питания с сроком службы не менее 20 лет. Впервые в мире продемонстрирована возможность достижения удельной мощности более 50 мкВт/см³ в радиационно-стимулированных элементах питания на основе никеля-63.

Электрогенерирующая сборка элемента питания из 200 алмазных преобразователей и 100 источников никеля		Схема сборки электрогенерирующей сборки элемента питания
ВАХ (черная кривая) и зависимость полезной мощности от напряжения (синяя кривая) элемента питания		Нагрузочная кривая элемента питания

• V.S. Bormashov, S.Y. Troschiev, S.A. Tarelkin, A.P. Volkov, D.V. Teteruk, A.V. Golovanov, M.S. Kuznetsov, N.V. Kornilov, S.A. Terentiev, V.D. Blank, High power density nuclear battery prototype based on diamond Schottky diodes, Diamond and Related Materials. 84 (2018) 41–47. doi:10.1016/j.diamond.2018.03.006.
• S. Tarelkin, V. Bormashov, E. Korostylev, S. Troschiev, D. Teteruk, A. Golovanov, A. Volkov, N. Kornilov, M. Kuznetsov, D. Prikhodko, S. Buga, Comparative study of different metals for Schottky barrier diamond betavoltaic power converter by EBIC technique, Physica Status Solidi (A). (2016). doi:10.1002/pssa.201533060.
• А.В. Голованов, В.С. Бормашов, А.П. Волков, С.А. Тарелкин, С.Г. Буга, В.Д. Бланк, Создание развитой поверхности синтетического монокристалла алмаза для повышения удельной мощности бета-вольтаических источников питания на их основе, Известия ВУЗов. Химия и химическая технология. 59 (2016) 86–91. (выпуск журнала).
• V. Bormashov, S. Troschiev, A. Volkov, S. Tarelkin, E. Korostylev, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, S. Terentiev, S. Buga, V. Blank, Development of nuclear microbattery prototype based on Schottky barrier diamond diodes, Phys. Status Solidi A. 212 (2015) 2539. doi:10.1002/pssa.201532214.

4. Разработаны и изготавливаются чувствительные элементы для быстродействующих датчиков нейтронов на основе синтетического алмаза. Форма: шайбы с резьбой М0,8 и диски с центральным электродом.

Чувствительные элементы - шайбы		Чувствительные элементы - диски		ВАХ элемента в темноте и под действием УФ излучения

• V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, N.V. Luparev, A.N. Kirichenko, M.S. Kuznetsov, S.A. Terentiev, V.D. Blank, M.A. Bublik, B.A. Zabolotko, V.V. Ivanov, E.V. Pozdnyakov, S.P. Martynenko, Natural and HPHT IIa diamonds as fast neutron detectors for inertial confinement fusion diagnostics, in: Haaselt University, Hasselt, Belgium, 2017: p. 113.

5. Разработана технология формирования одиночных NV-центров в пластинах HPHT алмаза и твердых оптических иммерсионных алмазных линз.

Формирование твердых иммерсионных микролинз на поверхности алмаза с помощью многослойных (grayscailing) масок
Маска для ионной имплантации, минимальный диаметр отверстия ~ 500 нм		Карта интенсивности люминесценции бесфонного перехода NV-центров (637нм)

• A.V. Golovanov, V.S. Bormashov, N.V. Luparev, S.A. Tarelkin, S.Y. Troschiev, S.G. Buga, V.D. Blank, Diamond Microstructuring by Deep Anisotropic Reactive Ion Etching, Physica Status Solidi (A). (2018) 1800273. doi:10.1002/pssa.201800273

6. Исследованы электрофизические свойства легированных бором синтетических HPHT монокристаллов алмаза. Установлена взаимосвязь между эл. свойствами и условиями синтеза. Определены оптимальные параметры синтеза алмазов для электронных применений.

• В.С. Бормашов, С.А. Тарелкин, С.Г. Буга, А.П. Волков, А.В. Голованов, М.С. Кузнецов, Н.В. Корнилов, Д.В. Тетерук, С.А. Терентьев, В.Д. Бланк, Электрические свойства высококачественных синтетических монокристаллов алмаза, легированных бором, и диодов Шоттки на их основе, Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 83 (2017) 36–42. (статья)
• V. Blank, S. Buga, V. Bormashov, V. Denisov, A. Kirichenko, V. Kulbachinskii, M. Kuznetsov, V. Kytin, G. Kytin, S. Tarelkin, S. Terentiev, Weak superconductivity in the surface layer of a bulk single-crystal boron-doped diamond, EPL (Europhysics Letters). 108 (2014) 67014. doi:10.1209/0295-5075/108/67014.
• V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, S.G. Buga, M.S. Kuznetsov, S.A. Terentiev, A.N. Semenov, V.D. Blank, Electrical properties of the high quality boron-doped synthetic single-crystal diamonds grown by the temperature gradient method, Diamond and Related Materials. 35 (2013) 19–23. doi:10.1016/j.diamond.2013.02.011.
• В.С. Бормашов, С.А. Тарелкин, М.С. Кузнецов, С.А. Терентьев, С.Г. Буга, Электрофизические свойства легированных бором синтетических монокристаллов алмаза, Наноиндустрия. 2012 (2012) 32–37.
• V.D. Blank, S.G. Buga, S.A. Terentiev, M.S. Kuznetsov, S.A. Nosukhin, A.V. Krechetov, V.A. Kul’bachinski, V.G. Kytin, G.A. Kytin, Low-temperature electrical conductivity of heavily boron-doped diamond single crystals, Phys. Sat. Sol. (B). 244 (2007) 413–417. doi:10.1002/pssb.200672526.

7. Отработан метод механической полировки, отмывки и последующего контроля алмазных пластин для получения гладкой и чистой поверхности, подходящей для электронных применений

• M.A. Doronin, S.N. Polyakov, K.S. Kravchuk, S.P. Molchanov, A.A. Lomov, S.Yu. Troschiev, S.A. Terentiev, Limits of single crystal diamond surface mechanical polishing, Diamond and Related Materials. (2018). doi:10.1016/j.diamond.2018.05.016.
• E.V. Korostylev, V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, M.A. Doronin, Using electron backscatter diffraction to investigate the influence of mechanical polishing on the state of the surface of diamond, Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 11 (2017) 125–129. doi:10.1134/S1027451017010141.
• M.A. Doronin, K.V. Larionov, S.Yu. Troschiev, S.A. Terentiev, Dependence of Synthetic Diamond Wear Rate on Lattice Orientation at Traditional Mechanical Treatment, Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 11 (2017) 1192–1195. doi:10.1134/S1027451017060052.

8. Совместно с лабораторией функциональных наноматериалов разработаны и исследованы композиционные наноструктурированные термоэлектрические материалы нового типа на основе сплавов Bi-Sb-Te с фуллереном С₆₀. Получено повышение коэффициента качества термоэлектрика ZT на 30-70% в широком диапазоне температур. Обнаружен эффект «резонансных» концентраций фуллерена С₆₀ с захватом до 6 электронов на молекулу фуллерена.

Зависимость концентрации свободных носителей заряда (дырок) от концентрации фуллерена С60 в сплаве Bi0.5Sb1.5Te3-C60		Зависимость коэффициента качества термоэлектрика ZT сплавов Bi0.5Sb1.5Te3-C60 от температуры при различных концентрациях С60

• D.A. Ovsyannikov, M.Y. Popov, S.G. Buga, A.N. Kirichenko, S.A. Tarelkin, V.V. Aksenenkov, E.V. Tat’yanin, V.D. Blank, Transport properties of nanocomposite thermoelectric materials based on Si and Ge, Physics of the Solid State. 57 (2015) 605–612. doi:10.1134/S1063783415030208.
• M. Popov, S. Buga, P. Vysikaylo, P. Stepanov, V. Skok, V. Medvedev, E. Tatyanin, V. Denisov, A. Kirichenko, V. Aksenenkov, V. Blank, C60-doping of nanostructured Bi-Sb-Te thermoelectrics, Physica Status Solidi (A). 208 (2011) 2783–2789. doi:10.1002/pssa.201127075.
• V.D. Blank, S.G. Buga, V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, V.V. Medvedev, M.Y. Popov, P.B. Stepanov, V.F. Skok, Thermoelectric properties of Bi_0.5Sb_1.5Te₃/C₆₀ nanocomposites, Physical Review B. 86 (2012). doi:10.1103/PhysRevB.86.075426.

9. Синтезированы и исследованы новые метастабильные фазы топологических изоляторов Sb₂Te₃ и Bi₂Se₃ методом закалки после обработки высоким давлением и температурой. Методами численного моделирования построены модели атомной и зонной структуры. Обнаружен переход в низкоразмерное сверхпроводящее состояние (слабая сверхпроводимость) новой фазы Sb₂Te₃ с критической температурой Т_с = 2 К. В области низких температур наблюдается эффект линейного положительного магнитосопротивления в области сильных полей 2 – 9 Т. При комнатной и более низких температурах наблюдается эффект аномальной парамагнитной восприимчивости вблизи нулевого поля. Оба эффекта свидетельствуют о состоянии топологического изолятора (полуметалла).

• V.A. Kulbachinskii, S.G. Buga, N.R. Serebryanaya, N.S. Perov, V.G. Kytin, S.A. Tarelkin, R.H. Bagramov, N.N. Eliseev, V.D. Blank, Superconductivity, Magnetoresistance, Magnetic Anomaly and Crystal Structure of New Phases of Topological Insulators Bi₂Se₃ and Sb₂Te₃, Journal of Physics: Conference Series. 969 (2018) 012152. doi:10.1088/1742-6596/969/1/012152.
• N. Serebryanaya, E. Tatyanin, S. Buga, I. Kruglov, N. Lvova, V. Blank, Monoclinic structure and electrical properties of metastable Sb₂Te₃ and Bi_0.4Sb_1.6Te₃ phases: Structure and properties of metastable Sb₂Te₃ and Bi_0.4Sb_1.6Te₃ phases, Physica Status Solidi (B). 252 (2015) 267–273. doi:10.1002/pssb.201451241.
• S.G. Buga, V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, G.A. Kytin, I.A. Kruglov, N.A. Lvova, N.S. Perov, N.R. Serebryanaya, S.A. Tarelkin, V.D. Blank, Superconductivity in bulk polycrystalline metastable phases of Sb₂Te₃ and Bi₂Te₃ quenched after high-pressure–high-temperature treatment, Chemical Physics Letters. 631–632 (2015) 97–102. doi:10.1016/j.cplett.2015.04.056.
• S.G. Buga, N.R. Serebryanaya, G.A. Dubitskiy, E.E. Semenova, V.V. Aksenenkov, V.D. Blank, Structure and electrical properties of Sb₂Te₃ and Bi_0.4Sb_1.6Te₃ metastable phases obtained by HPHT treatment, High Pressure Research. 31 (2011) 86–90. doi:10.1080/08957959.2010.523422.

10. Отработаны методы измерения теплопроводности и теплоемкости синтетического монокристалла алмаза в диапазоне температур 2 - 400 К.

Алмазный образец, закрепленный в держателе		Нагреватель и измеритель температуры на образце

Измеренная теплопроводность сверхчистого IIa и легированного бором IIb алмазов

• S. Tarelkin, V. Bormashov, M. Kuznetsov, S. Buga, S. Terentiev, D. Prikhodko, A. Golovanov, V. Blank, Heat capacity of bulk boron-doped single-crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K, Journal of Superhard Materials. 38 (2016) 412–416. doi:10.3103/S1063457616060058.
• D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, A. Volkov, S. Buga, Thermal conductivity of synthetic boron-doped single-crystal HPHT diamond from 20 to 400 K, MRS Communications. (2016) 1–6. doi:10.1557/mrc.2016.12.

Перспективная электроника на основе синтетического алмаза

• Силовые быстродействующие диоды Шоттки.
• Силовые и высокочастотные полевые транзисторы.
• Автономные источники питания с длительным сроком службы (“Атомные батарейки”).
• Интегральные оптические и оптоэлектронные схемы на алмазном чипе.
• Устройства квантовой обработки и передачи информации на основе центров окраски (NV, SiV).
• Мазеры и источники терагерцового излучения, работающие при комнатной температуре.
• Солнечно-слепые детекторы ультрафиолетового диапазона (спектральный диапазон менее 250 нм), в том числе матричные.
• Дозовые детекторы рентгеновского излучения и гамма-квантов, в том числе матричные.
• Спектрометрические детекторы ионизирующих излучений с высоким энергетическим разрешением.
• Детекторы счетного типа для измерения плотности потока ионизирующего излучения.
• Чувствительные элементы измерителей мощности лазерного излучения киловаттного диапазона.
• Сверхпроводящие датчики ИК излучения.
• Сенсоры температуры широкого диапазона от 77 до 800 К.
• Акустоэлектрические фильтры, линии задержки и резонаторы СВЧ-диапазона.
• Одно- и широкополосные генераторы СВЧ диапазона.
• Элементы оперативной оптической памяти.

Публикации сотрудников отдела (40 публикаций)

• A.V. Golovanov, V.S. Bormashov, N.V. Luparev, S.A. Tarelkin, S.Y. Troschiev, S.G. Buga, V.D. Blank, Diamond Microstructuring by Deep Anisotropic Reactive Ion Etching, Physica Status Solidi (A). (2018) 1800273. doi:10.1002/pssa.201800273
• V.S. Bormashov, S.Yu. Troschiev, S.A. Tarelkin, A.P. Volkov, D.V. Teteruk, A.V. Golovanov, M.S. Kuznetsov, N.V. Kornilov, S.A. Terentiev, V.D. Blank, High power density nuclear battery prototype based on diamond Schottky diodes, Diamond and Related Materials. 84 (2018) 41–47. doi:10.1016/j.diamond.2018.03.006.
• M.A. Doronin, S.N. Polyakov, K.S. Kravchuk, S.P. Molchanov, A.A. Lomov, S.Yu. Troschiev, S.A. Terentiev, Limits of single crystal diamond surface mechanical polishing, Diamond and Related Materials. (2018). doi:10.1016/j.diamond.2018.05.016.
• V.A. Kulbachinskii, S.G. Buga, N.R. Serebryanaya, N.S. Perov, V.G. Kytin, S.A. Tarelkin, R.H. Bagramov, N.N. Eliseev, V.D. Blank, Superconductivity, Magnetoresistance, Magnetic Anomaly and Crystal Structure of New Phases of Topological Insulators Bi₂Se₃ and Sb₂Te₃, Journal of Physics: Conference Series. 969 (2018) 012152. doi:10.1088/1742-6596/969/1/012152.
• V. Sadovoy, V. Blank, D. Teteruk, S. Terentiev, N. Kornilov, HPHT single crystal diamond type IIB growth sector influence on the secondary electron emission phenomenon, Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 11 (2017) 1101–1107. doi:10.1134/S1027451017050366.
• B.P. Sorokin, G.M. Kvashnin, A.S. Novoselov, V.S. Bormashov, A.V. Golovanov, S.I. Burkov, V.D. Blank, Excitation of hypersonic acoustic waves in diamond-based piezoelectric layered structure on the microwave frequencies up to 20 GHz, Ultrasonics. 78 (2017) 162–165. doi:10.1016/j.ultras.2017.01.014.
• S.A. Tarelkin, V.S. Bormashov, S.G. Pavlov, D.L. Kamenskyi, M.S. Kuznetsov, S.A. Terentiev, D.D. Prikhodko, A.S. Galkin, H.-W. Hübers, V.D. Blank, Evidence of linear Zeeman effect for infrared intracenter transitions in boron doped diamond in high magnetic fields, Diamond and Related Materials. 75 (2017) 52–57. doi:10.1016/j.diamond.2017.01.004.
• E.V. Korostylev, V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, M.A. Doronin, Using electron backscatter diffraction to investigate the influence of mechanical polishing on the state of the surface of diamond, Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 11 (2017) 125–129. doi:10.1134/S1027451017010141.
• M.A. Doronin, K.V. Larionov, S.Yu. Troschiev, S.A. Terentiev, Dependence of Synthetic Diamond Wear Rate on Lattice Orientation at Traditional Mechanical Treatment, Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 11 (2017) 1192–1195. doi:10.1134/S1027451017060052.
• V.S. Bormashov, S.A. Terentiev, S.G. Buga, S.A. Tarelkin, A.P. Volkov, D.V. Teteruk, N.V. Kornilov, M.S. Kuznetsov, V.D. Blank, Thin large area vertical Schottky barrier diamond diodes with low on-resistance made by ion-beam assisted lift-off technique, Diamond & Related Materials. 75 (2017) 78–84. doi:http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2017.02.006.
• В.С. Бормашов, С.А. Тарелкин, С.Г. Буга, А.П. Волков, А.В. Голованов, М.С. Кузнецов, Н.В. Корнилов, Д.В. Тетерук, С.А. Терентьев, В.Д. Бланк, Электрические свойства высококачественных синтетических монокристаллов алмаза, легированных бором, и диодов Шоттки на их основе, Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 83 (2017) 36–42. (сайт журнала).
• А.В. Голованов, В.С. Бормашов, А.П. Волков, С.А. Тарелкин, С.Г. Буга, В.Д. Бланк, Создание развитой поверхности синтетического монокристалла алмаза для повышения удельной мощности бета-вольтаических источников питания на их основе, Известия ВУЗов. Химия и химическая технология. 59 (2016) 86–91. (выпуск журнала).
• В.Ю. Садовой, В.Д. Бланк, С.А. Терентьев, С.Ю. Трощиев, Исследование влияния кристаллографического направления синтетического монокристалла алмаза на коэффициент вторичной электронной эмиссии, Известия ВУЗов. Химия и Химическая Технология. 59 (2016) 21–26. (выпуск журнала).
• S. Tarelkin, V. Bormashov, M. Kuznetsov, S. Buga, S. Terentiev, D. Prikhodko, A. Golovanov, V. Blank, Heat capacity of bulk boron-doped single-crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K, Journal of Superhard Materials. 38 (2016) 412–416. doi:10.3103/S1063457616060058.
• Д.В. Тетерук, В.С. Бормашов, С.А. Тарелкин, Н.В. Корнилов, Н.В. Лупарев, А.Н. Кириченко, Подавление синтеза алмаза на торцевой поверхности подложки в процессе газофазного осаждения, Известия ВУЗов. Химия и химическая технология. 59 (2016) 64–68. (выпуск журнала).
• S. Tarelkin, V. Bormashov, E. Korostylev, S. Troschiev, D. Teteruk, A. Golovanov, A. Volkov, N. Kornilov, M. Kuznetsov, D. Prikhodko, S. Buga, Comparative study of different metals for Schottky barrier diamond betavoltaic power converter by EBIC technique, Physica Status Solidi (A). (2016). doi:10.1002/pssa.201533060.
• D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, A. Volkov, S. Buga, Thermal conductivity of synthetic boron-doped single-crystal HPHT diamond from 20 to 400 K, MRS Communications. (2016) 1–6. doi:10.1557/mrc.2016.12.
• A. Polyakov, N. Smirnov, S. Tarelkin, A. Govorkov, V. Bormashov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, S. Buga, N. Kornilov, I.-H. Lee, Electrical Properties of Diamond Platinum Vertical Schottky Barrier Diodes, Materials Today: Proceedings. 3 (2016) S159–S164. doi:10.1016/j.matpr.2016.02.027.
• S. Tarelkin, V. Bormashov, S. Buga, A. Volkov, D. Teteruk, N. Kornilov, M. Kuznetsov, S. Terentiev, A. Golovanov, V. Blank, Power diamond vertical Schottky barrier diode with 10 A forward current, Phys. Status Solidi A. 212 (2015) 2621. doi:10.1002/pssa.201532213.
• V. Bormashov, S. Troschiev, A. Volkov, S. Tarelkin, E. Korostylev, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, S. Terentiev, S. Buga, V. Blank, Development of nuclear microbattery prototype based on Schottky barrier diamond diodes, Phys. Status Solidi A. 212 (2015) 2539. doi:10.1002/pssa.201532214.
• S.G. Buga, V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, G.A. Kytin, I.A. Kruglov, N.A. Lvova, N.S. Perov, N.R. Serebryanaya, S.A. Tarelkin, V.D. Blank, Superconductivity in bulk polycrystalline metastable phases of Sb₂Te₃ and Bi₂Te₃ quenched after high-pressure–high-temperature treatment, Chemical Physics Letters. 631–632 (2015) 97–102. doi:10.1016/j.cplett.2015.04.056.
• N. Serebryanaya, E. Tatyanin, S. Buga, I. Kruglov, N. Lvova, V. Blank, Monoclinic structure and electrical properties of metastable Sb₂Te₃ and Bi_0.4Sb_1.6Te₃ phases: Structure and properties of metastable Sb₂Te₃ and Bi_0.4Sb_1.6Te₃ phases, Physica Status Solidi (B). 252 (2015) 267–273. doi:10.1002/pssb.201451241.
• S.G. Buga, V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, G.A. Kytin, I.A. Kruglov, N.A. Lvova, N.S. Perov, N.R. Serebryanaya, S.A. Tarelkin, V.D. Blank, Superconductivity in bulk polycrystalline metastable phases of Sb₂Te₃ and Bi₂Te₃ quenched after high-pressure–high-temperature treatment, Chemical Physics Letters. 631–632 (2015) 97–102. doi:10.1016/j.cplett.2015.04.056.
• V.D. Blank, V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, S.G. Buga, M.S. Kuznetsov, D.V. Teteruk, N.V. Kornilov, S.A. Terentiev, A.P. Volkov, Power high-voltage and fast response Schottky barrier diamond diodes, Diamond and Related Materials. (2015). doi:10.1016/j.diamond.2015.01.005.
• V. Blank, S. Buga, V. Bormashov, V. Denisov, A. Kirichenko, V. Kulbachinskii, M. Kuznetsov, V. Kytin, G. Kytin, S. Tarelkin, S. Terentiev, Weak superconductivity in the surface layer of a bulk single-crystal boron-doped diamond, EPL (Europhysics Letters). 108 (2014) 67014. doi:10.1209/0295-5075/108/67014.
• Д.В. Тетерук, С.А. Тарелкин, В.С. Бормашов, А.П. Волков, Н.В. Корнилов, С.А. Терентьев, Легирование алмаза, выращенного методом газофазного осаждения, Известия ВУЗов. Химия и химическая технология. 57 (2014) 56–58. (выпуск журнала).
• В.С. Бормашов, А.В. Голованов, А.П. Волков, С.А. Тарелкин, С.Г. Буга, В.Д. Бланк, Глубокое реактивное ионное травление синтетического алмаза, Известия ВУЗов. Химия и химическая технология. 57 (2014) 4–7. (выпуск журнала).
• V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, S.G. Buga, M.S. Kuznetsov, S.A. Terentiev, A.N. Semenov, V.D. Blank, Electrical properties of the high quality boron-doped synthetic single-crystal diamonds grown by the temperature gradient method, Diamond and Related Materials. 35 (2013) 19–23. doi:10.1016/j.diamond.2013.02.011.
• А.В. Голованов, В.С. Бормашов, А.П. Волков, С.А. Тарелкин, С.Г. Буга, В.Д. Бланк, Реактивное ионное травление поверхности синтетического алмаза, Труды МФТИ. 5 (2013) 31–35. (статья).
• В.С. Бормашов, А.В. Голованов, А.П. Волков, С.А. Тарелкин, С.Г. Буга, В.Д. Бланк, Формирование рельефных структур на поверхности монокристаллов синтетического алмаза методом реактивного ионного травления, Известия ВУЗов. Химия и Химическая Технология. 56 (2013) 57–59. (выпуск журнала).
• O.A. Yermolenko, G.V. Kornich, S.G. Buga, Molecular dynamics simulation of the low-energy interaction between Cu_n@C₆₀ endofullerenes and the surface of a copper crystal, Journal of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 6 (2012) 217–221. doi:10.1134/S1027451012030081.
• В.С. Бормашов, С.А. Тарелкин, М.С. Кузнецов, С.А. Терентьев, С.Г. Буга, Электрофизические свойства легированных бором синтетических монокристаллов алмаза, Наноиндустрия. 2012 (2012) 32–37. (статья).
• В.С. Бормашов, А.П. Волков, А.В. Голованов, С.А. Тарелкин, С.Г. Буга, В.Д. Бланк, Реактивное ионное травление поверхности синтетического монокристалла алмаза в плазме, Известия ВУЗов. Химия и Химическая Технология. 55 (2012) 71–73. (выпуск журнала).
• V.D. Blank, S.G. Buga, V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, V.V. Medvedev, M.Y. Popov, P.B. Stepanov, V.F. Skok, Thermoelectric properties of Bi_0.5Sb_1.5Te₃/C₆₀ nanocomposites, Physical Review B. 86 (2012). doi:10.1103/PhysRevB.86.075426.
• S.G. Buga, N.R. Serebryanaya, G.A. Dubitskiy, E.E. Semenova, V.V. Aksenenkov, V.D. Blank, Structure and electrical properties of Sb₂Te₃ and Bi_0.4Sb_1.6Te₃ metastable phases obtained by HPHT treatment, High Pressure Research. 31 (2011) 86–90. doi:10.1080/08957959.2010.523422.
• M. Popov, S. Buga, P. Vysikaylo, P. Stepanov, V. Skok, V. Medvedev, E. Tatyanin, V. Denisov, A. Kirichenko, V. Aksenenkov, V. Blank, C₆₀-doping of nanostructured Bi-Sb-Te thermoelectrics, Physica Status Solidi (A). 208 (2011) 2783–2789. doi:10.1002/pssa.201127075.
• V.S. Bormashov, S.G. Buga, V.D. Blank, M.S. Kuznetsov, S.A. Nosukhin, S.A. Terent’ev, E.G. Pel’, Fast-response thermistors made of synthetic single-crystal diamonds, Instruments and Experimental Techniques. 52 (2009) 738–742. doi:10.1134/S0020441209050182.
• S.G. Buga, V.D. Blank, V.S. Bormashov, V.N. Denisov, S.A. Terentiev, A.N. Kirichenko, M.S. Kuznetsov, V.N. Mordkovich, S.A. Nosukhin, p-n junction on high-pressure-high-temperature grown single crystal diamond: UV-emission spectra and electrical properties, Journal of Physics: Conference Series. 121 (2008) 032005. doi:10.1088/1742-6596/121/3/032005.
• V.D. Blank, S.G. Buga, V.S. Bormashov, S.A. Terentiev, M.S. Kuznetsov, S.A. Nosukhin, E.G. Pel’, Pulse thermometers based on synthetic single crystal boron-doped diamonds, Diamond and Related Materials. 16 (2007) 970–973. doi:10.1016/j.diamond.2006.12.049.
• V.D. Blank, S.G. Buga, S.A. Terentiev, M.S. Kuznetsov, S.A. Nosukhin, A.V. Krechetov, V.A. Kul’bachinski, V.G. Kytin, G.A. Kytin, Low-temperature electrical conductivity of heavily boron-doped diamond single crystals, Phys. Sat. Sol. (B). 244 (2007) 413–417. doi:10.1002/pssb.200672526.

Патенты

• В.С. Бормашов, С.Ю. Трощиев, С.А. Тарелкин, Н.В. Лупарев, А.В. Голованов, Д.Д. Приходько, В.Д. Бланк, Способ изготовления полупроводникового преобразователя энергии ионизирующего излучения в электроэнергию, RU 2668229 C1, 2018.
• В.Д. Бланк, М.С. Кузнецов, С.А. Носухин, С.А. Терентьев, С.А. Тарелкин, В.С. Бормашов, С.Г. Буга, Способ получения легированного монокристалла алмаза, RU 2640788, 2018.
• В.С. Бормашов, С.Ю. Трощиев, С.А. Тарелкин, Н.В. Лупарев, А.П. Волков, В.Д. Бланк, Радиоизотопный источник постоянного тока, RU 170474 U1, 2017.
• В.С. Бормашов, С.А. Тарелкин, М.С. Кузнецов, Н.В. Лупарев, А.П. Волков, Д.В. Тетерук, В.Д. Бланк, Алмазный диод с барьером шоттки, RU 174126 U1, 2017.
• В.С. Бормашов, А.П. Волков, С.Г. Буга, С.Г. Нищук, С.А. Тарелкин, С.А. Терентьев, Способ полировки алмазных пластин, RU 2483856, 2013.
• В.С. Бормашов, А.П. Волков, С.Г. Буга, Н.В. Корнилов, С.А. Тарелкин, С.А. Терентьев, Способ изготовления диода Шоттки, RU 2488912, 2013.