Отделение алмазных и ультратвердых материалов
Заведующий отделением - к.т.н. Терентьев С.А.Направления работ
- Разработка и создание аппаратуры высокого давления и систем управления технологическими процессами синтеза, термобарической обработки и спекания сверхтвердых материалов.
- Совершенствование технологии получения крупных монокристаллов алмаза со специальными свойствами.
- Совершенствование технологий получения поликристаллических и гомоэпитаксиальных алмазных пленок методом газофазного осаждения.
- Совершенствование технологии термобарической обработки сверхтвердых материалов.
- Изготовление изделий заданной формы из природных и выращенных алмазов.
- Исследование свойств многослойных алмазных структур.
Главной задачей отдела является синтез крупных монокристаллов алмаза, не имеющих природных аналогов: высокочистых и прецизионно легированных полупроводниковых. Работы проводятся на ростовых установках собственной разработки.
Одним из перспективных направлений деятельности является совершенствование метода получения монокристаллических алмазных пленок синтезом из газовой фазы.
Параметры ростовых процессов:
Давление 5 – 7 ГПа | Температура 1250 – 1600 °C | Время до 300 часов |
Монокристаллы алмаза
Высокочистый |
Легированный |
Изделия из высокочистых монокристаллов алмаза
Свойства высокочистых монокристаллов алмаза:
- размер до 8 мм;
- концентрация азота 0,5 – 2,0 ppm;
- теплопроводность до 2200 Вт/(м·К);
- диапазон оптической прозрачности от 225 нм до 25 мкм;
- высокое совершенство кристаллической структуры;
- низкий уровень люминесценции (отношение интенсивности спектра КРС второго порядка к люминесцентному фону ~ 15 – 30);
- удельное электрическое сопротивление выше 1012 Ом·см;
- Твердость не менее 105 ГПа.
Применение:
- оптические окна для лазеров;
- датчики ультрафиолетового и ионизирующих излучений, высокоэнергетических частиц;
- элементы оптоэлектронных приборов;
- алмазные наковальни для исследования свойств веществ и фазовых переходов при сверхвысоких (до 2,5 Мбар) давлениях;
- теплоотводы для элементов электроники;
- иглы сканирующих зондовых микроскопов;
- подложки для гомоэпитаксиального выращивания монокристаллических алмазных пленок;
- ювелирные изделия;
- сопла для гидроабразивной резки.
Чувствительный элемент датчика ультрафиолетового излучения |
Шестерни из монокристалла алмаза |
Оптическое окно для лазеров |
Сопла в сборке с рабочим элементом из монокристалла алмаза |
Наковальни из высокочистых монокристаллов алмаза |
Изделия из полупроводниковых монокристаллов алмаза
Свойства полупроводниковых монокристаллов алмаза:
- размер до 8 мм;
- энергия ионизации акцептора 0,19-0,37 эВ;
- удельное электрическое сопротивление 0,1–109 Ом·см;
- цвет от светло-голубого до черного;
- содержание бора до 300 ppm.
Применение:
- высокочувствительные датчики температуры;
- диоды Шоттки;
- датчики расхода жидкостей и газов;
- малоинерционные нагревательные элементы;
- иглы сканирующих зондовых микроскопов;
- подложки для гомоэпитаксиального выращивания монокристаллических алмазных пленок;
- ювелирные изделия;
- микрохирургические лезвия.
Термобарическая обработка природных кристаллов алмаза
Разработанная в отделе технология термобарической обработки позволяет изменять исходную коричневую окраску некоторых типов природных кристаллов весом до 20 карат на бесцветную, фантазийно-желтую, зеленую, розовую, оранжевую и голубую, улучшая их потребительские свойства.
Влияние термобарической обработки на окраску природных кристаллов алмаза: |
||
а) Цвет до обработки. |
б) Цвет после обработки. |